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SI7409ADN-T1-E3

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SI7409ADN-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças SI7409ADN-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET P-CH 30V 7A 1212-8
Ficha técnica

SI7409ADN-T1-E3 Ficha técnica

pacote PowerPAK? 1212-8
ECAD
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Especificações do SI7409ADN-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacotePowerPAK? 1212-8
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C7A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±12V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19 mOhm @ 11A, 4.5V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPowerPAK? 1212-8
Pacote / casoPowerPAK? 1212-8

SI7409ADN-T1-E3 folha de dados

SI7409ADN-T1-E3 Packaging

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Packing
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Vishay Intertechnologies

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.019ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
0
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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8

0
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Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

6203
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