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SI7403BDN-T1-GE3

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SI7403BDN-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI7403BDN-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 PPAK
Ficha técnica

SI7403BDN-T1-GE3 Ficha técnica

pacote PowerPAK? 1212-8
ECAD
Em estoque 72.012 piece(s)
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Especificações do SI7403BDN-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacotePowerPAK? 1212-8
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C8A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds430pF @ 10V
Vgs (máx.)±8V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)3.1W (Ta), 9.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs74 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPowerPAK? 1212-8
Pacote / casoPowerPAK? 1212-8

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SI7403BDN-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI7403BDN-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7403BDN-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8

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