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SI7386DP-T1-GE3

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SI7386DP-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI7386DP-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Ficha técnica

SI7386DP-T1-GE3 Ficha técnica

pacote PowerPAK? SO-8
ECAD
Em estoque 41.568 piece(s)
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Especificações do SI7386DP-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacotePowerPAK? SO-8
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C12A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7 mOhm @ 19A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPowerPAK? SO-8
Pacote / casoPowerPAK? SO-8

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SI7386DP-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI7386DP-T1-GE3 FAQ

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

RoHS: Compliant
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2925
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MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

18000
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

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N CHANNEL MOSFET, 30V, 19A, SOIC

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
50
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Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

4223
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403
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MOSFET 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V

RoHS: Compliant
4244
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SI7386DP-T1-GE3

D# 26R1919

Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 30V, 19A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:19A, On Resistance Rds(on):0.0058ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
50
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Vishay Siliconix

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33091
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2839
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