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SI7230DN-T1-GE3

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SI7230DN-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI7230DN-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
Ficha técnica

SI7230DN-T1-GE3 Ficha técnica

pacote PowerPAK? 1212-8
ECAD
Em estoque 99.960 piece(s)
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Especificações do SI7230DN-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacotePowerPAK? 1212-8
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C9A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 14A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPowerPAK? 1212-8
Pacote / casoPowerPAK? 1212-8

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SI7230DN-T1-GE3 Packaging

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Packing
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Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7230DN-T1-GE3)

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3000
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N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8

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RoHS: Compliant
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12510
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