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SI7112DN-T1-GE3

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SI7112DN-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI7112DN-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
Ficha técnica

SI7112DN-T1-GE3 Ficha técnica

pacote PowerPAK? 1212-8
ECAD
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Especificações do SI7112DN-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacotePowerPAK? 1212-8
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C11.3A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds2610pF @ 15V
Vgs (máx.)±12V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5 mOhm @ 17.8A, 10V
Temperatura de operação-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorPowerPAK? 1212-8
Pacote / casoPowerPAK? 1212-8

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SI7112DN-T1-GE3 Packaging

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SI7112DN-T1-GE3 FAQ

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  • 3. Are the SI7112DN-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Inform us within 90 days
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MOSFET, N CHANNEL, 30V, 11.3A, POWERPAK

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