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SI6969BDQ-T1-GE3

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SI6969BDQ-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI6969BDQ-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
Ficha técnica

SI6969BDQ-T1-GE3 Ficha técnica

pacote 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Em estoque 10.980 piece(s)
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Especificações do SI6969BDQ-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacote8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potência - Max830mW
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / caso8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-TSSOP

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SI6969BDQ-T1-GE3 Packaging

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Packing
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