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SI6459BDQ-T1-GE3

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SI6459BDQ-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI6459BDQ-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
Ficha técnica

SI6459BDQ-T1-GE3 Ficha técnica

pacote 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Em estoque 3.120 piece(s)
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Especificações do SI6459BDQ-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C2.2A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs115 mOhm @ 2.7A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-TSSOP
Pacote / caso8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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MOSFET P-CH 60V 2.2A 8TSSOP

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Vishay Siliconix

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