Name: SI6459BDQ-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6459BDQ-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (169 reviews)

SI6459BDQ-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças	SI6459BDQ-T1-E3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
Ficha técnica	SI6459BDQ-T1-E3 Ficha técnica
pacote	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
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Especificações do SI6459BDQ-T1-E3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.2A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115 mOhm @ 2.7A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-TSSOP
Pacote / caso	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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SI6459BDQ-T1-E3 Packaging

SI6459BDQ-T1-E3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI6459BDQ-T1-E3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI6459BDQ-T1-E3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.2A I(D), 60V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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