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SI6433BDQ-T1-E3

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SI6433BDQ-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças SI6433BDQ-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
Ficha técnica

SI6433BDQ-T1-E3 Ficha técnica

pacote 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Em estoque 124.956 piece(s)
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Especificações do SI6433BDQ-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Series-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C4A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±8V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-TSSOP
Pacote / caso8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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SI6433BDQ-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 12V 4.8A 1.5W 40mohm @ 4.5V

1403
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Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
0
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D# SI6433BDQ-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

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874
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Vishay Siliconix

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6086
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Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

9016
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Vishay Intertechnologies

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869
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