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SI6410DQ-T1-GE3

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SI6410DQ-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI6410DQ-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP
Ficha técnica

SI6410DQ-T1-GE3 Ficha técnica

pacote 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Em estoque 108.000 piece(s)
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Especificações do SI6410DQ-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C-
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 7.8A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-TSSOP
Pacote / caso8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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SI6410DQ-T1-GE3 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI6410DQ-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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7140
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