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SI6410DQ-T1-E3

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SI6410DQ-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças SI6410DQ-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP
Ficha técnica

SI6410DQ-T1-E3 Ficha técnica

pacote 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Em estoque 517.140 piece(s)
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Especificações do SI6410DQ-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C-
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 7.8A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-TSSOP
Pacote / caso8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

SI6410DQ-T1-E3 folha de dados

SI6410DQ-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI6410DQ-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

SI6410DQ-T1-E3

D# 70026123

Vishay Siliconix

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 0.011Ohm,ID+/-7.8A,TSSOP-8,PD 1.5W,VGS+/-20V

RoHS: Not Compliant
0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP

235
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# SI6410DQ-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 8TSSOP

0
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VBsemi Electronics Co Ltd

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15249
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11063
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# NS-SI6410DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

6433
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SI6410DQT1E3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

1704
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