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SI5975DC-T1-E3

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SI5975DC-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças SI5975DC-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
Ficha técnica

SI5975DC-T1-E3 Ficha técnica

pacote 8-SMD, Flat Lead
ECAD
Em estoque 44.400 piece(s)
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Especificações do SI5975DC-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacote8-SMD, Flat Lead
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs86 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 1mA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potência - Max1.1W
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / caso8-SMD, Flat Lead
Pacote de Dispositivo do Fornecedor1206-8 ChipFET?

SI5975DC-T1-E3 folha de dados

SI5975DC-T1-E3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI5975DC-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI5975DC-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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3570
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180000
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7318
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Semiconductor

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