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SI5904DC-T1-GE3

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SI5904DC-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI5904DC-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Ficha técnica

SI5904DC-T1-GE3 Ficha técnica

pacote 8-SMD, Flat Lead
ECAD
Em estoque 324.012 piece(s)
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Especificações do SI5904DC-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacote8-SMD, Flat Lead
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs75 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potência - Max1.1W
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / caso8-SMD, Flat Lead
Pacote de Dispositivo do Fornecedor1206-8 ChipFET?

SI5904DC-T1-GE3 folha de dados

SI5904DC-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI5904DC-T1-GE3 FAQ

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D# V72:2272_09216242

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R

RoHS: Compliant
0
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Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R - Tape and Reel (Alt: SI5908DC-T1-GE3)

0
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Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R (Alt: SI5908DC-T1-GE3)

0
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Vishay Semiconductors

DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

0

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MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

SI5904DCT1GE3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
0
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D# SI5908DC-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

5124

SI5904DC-T1-GE3

D# SI5904DC-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

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VBsemi Electronics Co Ltd

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30737
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MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

RoHS: Compliant
5124
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MOSFET 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4.4A I(D), 20V, 2-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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