Name: SI5855DC-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5855DC-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (175 reviews)

SI5855DC-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças	SI5855DC-T1-E3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
Ficha técnica	SI5855DC-T1-E3 Ficha técnica
pacote	8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Especificações do SI5855DC-T1-E3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	8-SMD, Flat Lead
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.7A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (máx.)	±8V
Recurso FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)	1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	1206-8 ChipFET?
Pacote / caso	8-SMD, Flat Lead

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SI5855DC-T1-E3 Packaging

SI5855DC-T1-E3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI5855DC-T1-E3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI5855DC-T1-E3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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Vishay Siliconix

440

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Vishay Siliconix

Min Qty 6

12000

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SI5855DC-T1-E3

D# SI5855DC-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

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SI5855DCT1E3

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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5874

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Vishay Semiconductors

2700mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

352

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