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SI5515DC-T1-GE3

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SI5515DC-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI5515DC-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
Ficha técnica

SI5515DC-T1-GE3 Ficha técnica

pacote 8-SMD, Flat Lead
ECAD
Em estoque 3.904 piece(s)
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Especificações do SI5515DC-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacote8-SMD, Flat Lead
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN and P-Channel
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C4.4A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potência - Max1.1W
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / caso8-SMD, Flat Lead
Pacote de Dispositivo do Fornecedor1206-8 ChipFET?

SI5515DC-T1-GE3 folha de dados

SI5515DC-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI5515DC-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI5515DC-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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COMPLEMENTARY 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2736
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Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

180000
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D# NS-SI5515DC-T1-GE3

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OEM/CM ONLY

3269
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OEM/CM ONLY

2315
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