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SI5445BDC-T1-GE3

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Apenas para referência

Nº de peças SI5445BDC-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
Ficha técnica

SI5445BDC-T1-GE3 Ficha técnica

pacote 8-SMD, Flat Lead
ECAD
Em estoque 2.304 piece(s)
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Especificações do SI5445BDC-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-SMD, Flat Lead
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C5.2A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±8V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs33 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor1206-8 ChipFET?
Pacote / caso8-SMD, Flat Lead

SI5445BDC-T1-GE3 folha de dados

SI5445BDC-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI5445BDC-T1-GE3 FAQ

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    (1)Inform us within 90 days
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Single P-Channel 8 V 33 mO 21 nC Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8

0
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D# SI5445BDC-T1-GE3-ND

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0
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

238
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Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

180000
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