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SI5440DC-T1-GE3

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SI5440DC-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI5440DC-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Ficha técnica

SI5440DC-T1-GE3 Ficha técnica

pacote 8-SMD, Flat Lead
ECAD
Em estoque 2.064 piece(s)
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Especificações do SI5440DC-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-SMD, Flat Lead
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C6A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 10V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19 mOhm @ 9.1A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor1206-8 ChipFET?
Pacote / caso8-SMD, Flat Lead

SI5440DC-T1-GE3 folha de dados

SI5440DC-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI5440DC-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI5440DC-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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