Name: SI5435BDC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5435BDC-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (138 reviews)

SI5435BDC-T1-GE3

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Nº de peças	SI5435BDC-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
Ficha técnica	SI5435BDC-T1-GE3 Ficha técnica
pacote	8-SMD, Flat Lead
ECAD
Em estoque	136.596 piece(s)
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Especificações do SI5435BDC-T1-GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	8-SMD, Flat Lead
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4.3A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 4.3A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	1206-8 ChipFET?
Pacote / caso	8-SMD, Flat Lead

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SI5435BDC-T1-GE3 Packaging

SI5435BDC-T1-GE3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI5435BDC-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI5435BDC-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(1)Inform us within 90 days

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P CHANNEL MOSFET, -30V, 5.9A, 1206

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D# SI5435BDC-T1-GE3TR-ND

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