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SI4965DY-T1-GE3

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Apenas para referência

Nº de peças SI4965DY-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
Ficha técnica

SI4965DY-T1-GE3 Ficha técnica

pacote 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque 6.400 piece(s)
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Especificações do SI4965DY-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacote8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs21 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs55nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potência - Max2W
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SO

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SI4965DY-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI4965DY-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4965DY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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