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SI4914BDY-T1-GE3

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SI4914BDY-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI4914BDY-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
Ficha técnica

SI4914BDY-T1-GE3 Ficha técnica

pacote 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque 379.836 piece(s)
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Especificações do SI4914BDY-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacote8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SeriesLITTLE FOOT?
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FETStandard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C8.4A, 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs10.5nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potência - Max2.7W, 3.1W
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SO

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SI4914BDY-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI4914BDY-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4914BDY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4914BDY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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9295
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2500
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D# NS-SI4914BDY-T1-GE3

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