Name: SI4894BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4894BDY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (102 reviews)

SI4894BDY-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças	SI4894BDY-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
Ficha técnica	SI4894BDY-T1-GE3 Ficha técnica
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Especificações do SI4894BDY-T1-GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	8.9A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1580pF @ 15V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 12A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4894BDY-T1-GE3 folha de dados

SI4894BDY-T1-GE3 Packaging

SI4894BDY-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SI4894BDY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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6. What is the process for return or replacement of SI4894BDY-T1-GE3?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI4894BDY-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI4894BDY-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# V36:1790_09216630

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

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D# SI4894BDY-T1-GE3

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Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4894BDY-T1-GE3)

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SI4894BDY-T1-GE3

D# SI4894BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4894BDY-T1-GE3)

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SI4894BDY-T1-GE3

D# SI4894BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4894BDY-T1-GE3)

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Vishay Intertechnologies

4084

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SI4894BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R

2267

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Descrição

Estoque

SI4894BDYT1GE3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

Nº de peças

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SI4894BDY-T1-GE3

D# SI4894BDY-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO

301

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VIS

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41141

SI4894BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

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Vishay Intertechnologies

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89227

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Vishay Intertechnologies

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76325

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D# 781-SI4894BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V

RoHS: Compliant

160

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SI4894BDY-T1-GE3

D# NS-SI4894BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

5025

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SI4894BDYT1GE3

Vishay Siliconix

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43988

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Vishay Intertechnologies

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76310

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SI4894BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V

pbFree: Pb-Free

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Vishay Huntington

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SI4894BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

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4361

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SI4894BDY-T1-GE3

D# 1871358

Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A

RoHS: Compliant

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