Name: SI4890BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4890BDY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (194 reviews)

SI4890BDY-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças	SI4890BDY-T1-E3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Ficha técnica	SI4890BDY-T1-E3 Ficha técnica
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Especificações do SI4890BDY-T1-E3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1535pF @ 15V
Vgs (máx.)	±25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4890BDY-T1-E3 folha de dados

SI4890BDY-T1-E3 Packaging

SI4890BDY-T1-E3 FAQ

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Descrição

Estoque

SI4890BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

N CHANNEL MOSFET, 30V, 16A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:16A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):16mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:25V, Threshold Voltage Vgs:2.6V, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes

505

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Descrição

Estoque

SI4890BDY-T1-E3

D# SI4890BDY-T1-E3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 16A 8SO

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VBsemi Electronics Co Ltd

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21782

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Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

23800

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Estoque

SI4890BDY-T1-E3

UMWSIC

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85000

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SI4890BDY-T1-E3

D# NS-SI4890BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

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Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

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UMWSIC

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1492

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Descrição

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DEL-SI4890BDY-T1-E3

D# 1690228

Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 30V, 16A, SOIC

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