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SI4884BDY-T1-GE3

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SI4884BDY-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI4884BDY-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
Ficha técnica

SI4884BDY-T1-GE3 Ficha técnica

pacote 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque 7.520 piece(s)
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Especificações do SI4884BDY-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C16.5A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1525pF @ 15V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SO
Pacote / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4884BDY-T1-GE3 folha de dados

SI4884BDY-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI4884BDY-T1-GE3 FAQ

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Single N-Channel 30 V 0.009 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOIC-8

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D# SI4884BDY-T1-GE3-ND

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2881
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76325
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D# NS-SI4884BDY-T1-GE3

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