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SI4860DY-T1-E3

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SI4860DY-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças SI4860DY-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Ficha técnica

SI4860DY-T1-E3 Ficha técnica

pacote 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque 771.288 piece(s)
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Especificações do SI4860DY-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C11A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8 mOhm @ 16A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SO
Pacote / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4860DY-T1-E3 folha de dados

SI4860DY-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI4860DY-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4860DY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Vishay Intertechnologies

1350
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Vishay Siliconix

N CHANNEL MOSFET, 30V, 16A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:16A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):8mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1V, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes

1642
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D# SI4860DY-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

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