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SI4842BDY-T1-GE3

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SI4842BDY-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI4842BDY-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC
Ficha técnica

SI4842BDY-T1-GE3 Ficha técnica

pacote 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque 21.282 piece(s)
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Especificações do SI4842BDY-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C28A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs100nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds3650pF @ 15V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)3W (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SO
Pacote / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4842BDY-T1-GE3 folha de dados

SI4842BDY-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI4842BDY-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4842BDY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4842BDY-T1-GE3)

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC

5000
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D# SI4842BDY-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 28A 8SO

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MOSFET 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V

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D# 16P3760

Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 30V, 28A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:28A, On Resistance Rds(on):0.0057ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:20V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Cut Tape
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