Name: SI4823DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4823DY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (192 reviews)

SI4823DY-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças	SI4823DY-T1-E3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
Ficha técnica	SI4823DY-T1-E3 Ficha técnica
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Especificações do SI4823DY-T1-E3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Series	LITTLE FOOT?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4.1A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 10V
Vgs (máx.)	±12V
Recurso FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)	1.7W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	108 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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SI4823DY-T1-E3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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P-CH 20-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTKY DIODE

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