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SI4808DY-T1-E3

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SI4808DY-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças SI4808DY-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Ficha técnica

SI4808DY-T1-E3 Ficha técnica

pacote 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque 396.420 piece(s)
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Especificações do SI4808DY-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacote8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SeriesLITTLE FOOT?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potência - Max1.1W
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SO

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SI4808DY-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI4808DY-T1-E3 FAQ

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    (1)Inform us within 90 days
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