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SI4778DY-T1-E3

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SI4778DY-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças SI4778DY-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
Ficha técnica

SI4778DY-T1-E3 Ficha técnica

pacote 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque 1.137.876 piece(s)
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Especificações do SI4778DY-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C8A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds680pF @ 13V
Vgs (máx.)±16V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)2.4W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs23 mOhm @ 7A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SO
Pacote / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4778DY-T1-E3 folha de dados

SI4778DY-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI4778DY-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4778DY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4778DY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4778DY-T1-E3?
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    (1)Inform us within 90 days
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D# V72:2272_09216564

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 25V 8A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant
0
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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

0
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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D# SI4778DY-T1-E3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 8A 8SO

1559
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VBsemi Electronics Co Ltd

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2975
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D# NS-SI4778DY-T1-E3

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8565
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Vishay Intertechnologies

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Vishay Huntington

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