Name: SI4561DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4561DY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (140 reviews)

SI4561DY-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças	SI4561DY-T1-E3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
Ficha técnica	SI4561DY-T1-E3 Ficha técnica
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque	60.000 piece(s)
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Especificações do SI4561DY-T1-E3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	N and P-Channel
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	6.8A, 7.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	640pF @ 20V
Potência - Max	3W, 3.3W
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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D# SI4561DY-T1-E3-ND

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