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SI4486EY-T1-GE3

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SI4486EY-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI4486EY-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
Ficha técnica

SI4486EY-T1-GE3 Ficha técnica

pacote 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque 7.872 piece(s)
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Especificações do SI4486EY-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C5.4A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 7.9A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SO
Pacote / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Packing
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4486EY-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO

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2975
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