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SI4442DY-T1-GE3

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Apenas para referência

Nº de peças SI4442DY-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
Ficha técnica

SI4442DY-T1-GE3 Ficha técnica

pacote 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque 3.264 piece(s)
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Especificações do SI4442DY-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C15A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±12V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5 mOhm @ 22A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SO
Pacote / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4442DY-T1-GE3 folha de dados

SI4442DY-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI4442DY-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4442DY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4442DY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4442DY-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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D# V36:1790_09215568

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant
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D# SI4442DY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4442DY-T1-GE3)

RoHS: Compliant
0
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MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

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D# SI4442DY-T1-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

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