Name: SI4210DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4210DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (129 reviews)

SI4210DY-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças	SI4210DY-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Ficha técnica	SI4210DY-T1-GE3 Ficha técnica
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque	83.400 piece(s)
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Especificações do SI4210DY-T1-GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	445pF @ 15V
Potência - Max	2.7W
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO

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SI4210DY-T1-GE3 Packaging

SI4210DY-T1-GE3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Vishay Intertechnologies

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DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 6.5A

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