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SI4110DY-T1-GE3

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SI4110DY-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI4110DY-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
Ficha técnica

SI4110DY-T1-GE3 Ficha técnica

pacote 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Em estoque 5.264 piece(s)
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Especificações do SI4110DY-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C17.3A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs53nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds2205pF @ 40V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)3.6W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs13 mOhm @ 11.7A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SO
Pacote / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4110DY-T1-GE3 folha de dados

SI4110DY-T1-GE3 Packaging

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Packing
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Vishay Siliconix

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