Name: SI4102DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4102DY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (86 reviews)

SI4102DY-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças	SI4102DY-T1-E3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
Ficha técnica	SI4102DY-T1-E3 Ficha técnica
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Especificações do SI4102DY-T1-E3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	3.8A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	370pF @ 50V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	158 mOhm @ 2.7A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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SI4102DY-T1-E3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

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Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

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D# SI4102DY-T1-E3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO

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VBsemi Electronics Co Ltd

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