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SI3905DV-T1-GE3

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SI3905DV-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI3905DV-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
Ficha técnica

SI3905DV-T1-GE3 Ficha técnica

pacote SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Em estoque 156.012 piece(s)
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Especificações do SI3905DV-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacoteSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs125 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potência - Max1.15W
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor6-TSOP

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SI3905DV-T1-GE3 Packaging

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SI3905DV-T1-GE3 FAQ

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