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SI3867DV-T1-E3

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SI3867DV-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças SI3867DV-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
Ficha técnica

SI3867DV-T1-E3 Ficha técnica

pacote SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Em estoque 195.036 piece(s)
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Especificações do SI3867DV-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C3.9A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±12V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs51 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor6-TSOP
Pacote / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3867DV-T1-E3 folha de dados

SI3867DV-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI3867DV-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI3867DV-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI3867DV-T1-E3?
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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3.9A I(D), 20V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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