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SI3812DV-T1-GE3

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SI3812DV-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI3812DV-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
Ficha técnica

SI3812DV-T1-GE3 Ficha técnica

pacote SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Em estoque 394.692 piece(s)
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Especificações do SI3812DV-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SeriesLITTLE FOOT?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C2A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id600mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±12V
Recurso FETSchottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)830mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor6-TSOP
Pacote / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3812DV-T1-GE3 folha de dados

SI3812DV-T1-GE3 Packaging

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MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP

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D# NS-SI3812DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

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Vishay Huntington

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