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SI3588DV-T1-GE3

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SI3588DV-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI3588DV-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
Ficha técnica

SI3588DV-T1-GE3 Ficha técnica

pacote SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Em estoque 618.720 piece(s)
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Especificações do SI3588DV-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacoteSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN and P-Channel
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs80 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potência - Max830mW, 83mW
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor6-TSOP

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SI3588DV-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI3588DV-T1-GE3 FAQ

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N+P-FET 2,5/0,57A 20V TSOP-6 RoHSconf

0
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D# SI3588DV-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP

0
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Vishay Siliconix

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

552
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

180000
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D# NS-SI3588DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

6039
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SI3588DVT1GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

650
Nº de peças Fabricante Descrição Estoque

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Vishay Intertechnologies

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Vishay Huntington

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