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SI3586DV-T1-GE3

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SI3586DV-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI3586DV-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Ficha técnica

SI3586DV-T1-GE3 Ficha técnica

pacote SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Especificações do SI3586DV-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacoteSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN and P-Channel
Recurso FETLogic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potência - Max830mW
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor6-TSOP

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SI3586DV-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI3586DV-T1-GE3 FAQ

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    (1)Inform us within 90 days
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0
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D# NS-SI3586DV-T1-GE3

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OEM/CM ONLY

6014
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Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

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Vishay Huntington

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