Name: SI3586DV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3586DV-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (76 reviews)

SI3586DV-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças	SI3586DV-T1-E3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Ficha técnica	SI3586DV-T1-E3 Ficha técnica
pacote	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Especificações do SI3586DV-T1-E3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arranjos
pacote	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	N and P-Channel
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potência - Max	830mW
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	6-TSOP

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SI3586DV-T1-E3 Packaging

SI3586DV-T1-E3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D38999/26MJ61PA-LC	Amphenol Aerospace Operations, CONN PLUG HSG MALE 61POS INLINE, -, TrenchFET?	Visão
AMC17DRMT	Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 34POS 0.100, -, TrenchFET?	Visão

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Vishay Siliconix

NPN/PNP MOSFET, 20V, TSOP, Transistor Polarity:N and P Channel, Continuous Drain Current Id:2.9A, Drain Source Voltage Vds:20V, On Resistance Rds(on):47mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:8V, Threshold Voltage Vgs:1.1V, No. of Pins:6 , RoHS Compliant: Yes

2325

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D# SI3586DV-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

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VBsemi Electronics Co Ltd

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Vishay Semiconductors

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Vishay Intertechnologies

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Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

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