Name: SI3473DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3473DV-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (97 reviews)

SI3473DV-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças	SI3473DV-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP
Ficha técnica	SI3473DV-T1-GE3 Ficha técnica
pacote	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Especificações do SI3473DV-T1-GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	5.9A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (máx.)	±8V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	6-TSOP
Pacote / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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SI3473DV-T1-GE3 Packaging

SI3473DV-T1-GE3 FAQ

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