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SI3456CDV-T1-GE3

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SI3456CDV-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI3456CDV-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
Ficha técnica

SI3456CDV-T1-GE3 Ficha técnica

pacote SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Em estoque 1.770.852 piece(s)
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Especificações do SI3456CDV-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C7.7A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 15V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)2W (Ta), 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs34 mOhm @ 6.1A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor6-TSOP
Pacote / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3456CDV-T1-GE3 folha de dados

SI3456CDV-T1-GE3 Packaging

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180000
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D# NS-SI3456CDV-T1-GE3

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OEM/CM ONLY

5172
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SI3456CDVT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

33016
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Vishay Intertechnologies

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