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SI3456BDV-T1-E3

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SI3456BDV-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças SI3456BDV-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP
Ficha técnica

SI3456BDV-T1-E3 Ficha técnica

pacote SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Especificações do SI3456BDV-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C4.5A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs35 mOhm @ 6A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor6-TSOP
Pacote / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3456BDV-T1-E3 folha de dados

SI3456BDV-T1-E3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI3456BDV-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

RoHS: Not Compliant
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Vishay BLH

1880
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Vishay Semiconductors

- Tape and Reel

0
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP

0
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18000

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5949
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1094
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Vishay Huntington

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RFQ

6001
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Vishay Huntington

MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP

73155
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N CHANNEL MOSFET, 30V, 6A, TSOP

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Min Qty: 10
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