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SI3445DV-T1-GE3

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SI3445DV-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI3445DV-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
Ficha técnica

SI3445DV-T1-GE3 Ficha técnica

pacote SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Em estoque 456.744 piece(s)
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Especificações do SI3445DV-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C-
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (máx.)±8V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs42 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor6-TSOP
Pacote / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3445DV-T1-GE3 folha de dados

SI3445DV-T1-GE3 Packaging

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Packing
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  • 3. Are the SI3445DV-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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