Name: SI3443BDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3443BDV-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (139 reviews)

SI3443BDV-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças	SI3443BDV-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
Ficha técnica	SI3443BDV-T1-GE3 Ficha técnica
pacote	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Especificações do SI3443BDV-T1-GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	3.6A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (máx.)	±12V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	6-TSOP
Pacote / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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SI3443BDV-T1-GE3 Packaging

SI3443BDV-T1-GE3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI3443BDV-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI3443BDV-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI3443BDV-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R

RoHS: Compliant

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel (Alt: SI3443BDV-T1-GE3)

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Vishay Siliconix

P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET

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D# SI3443BDV-T1-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP

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