Name: SI3434DV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3434DV-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (108 reviews)

SI3434DV-T1-E3

Apenas para referência

Nº de peças	SI3434DV-T1-E3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
Ficha técnica	SI3434DV-T1-E3 Ficha técnica
pacote	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Especificações do SI3434DV-T1-E3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4.6A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	600mV @ 1mA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (máx.)	±12V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	6-TSOP
Pacote / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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SI3434DV-T1-E3 Packaging

SI3434DV-T1-E3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI3434DV-T1-E3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI3434DV-T1-E3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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4600MA, 30V, N-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET

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