Name: SI3433BDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3433BDV-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (113 reviews)

SI3433BDV-T1-GE3

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Nº de peças	SI3433BDV-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP
Ficha técnica	SI3433BDV-T1-GE3 Ficha técnica
pacote	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Especificações do SI3433BDV-T1-GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4.3A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (máx.)	±8V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	6-TSOP
Pacote / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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SI3433BDV-T1-GE3 Packaging

SI3433BDV-T1-GE3 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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Vishay Siliconix

P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.3A, TSOP, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-4.3A, Drain Source Voltage Vds:-20V, On Resistance Rds(on):42mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs:-450mV , RoHS Compliant: Yes

2810

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D# SI3433BDV-T1-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP

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