Name: SI3424DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3424DV-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (114 reviews)

SI3424DV-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças	SI3424DV-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
Ficha técnica	SI3424DV-T1-GE3 Ficha técnica
pacote	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Especificações do SI3424DV-T1-GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 6.7A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	6-TSOP
Pacote / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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SI3424DV-T1-GE3 Packaging

SI3424DV-T1-GE3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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