Name: SI2392DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2392DS-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (124 reviews)

SI2392DS-T1-GE3

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Nº de peças	SI2392DS-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
Ficha técnica	SI2392DS-T1-GE3 Ficha técnica
pacote	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Especificações do SI2392DS-T1-GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	3.1A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	10.4nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	196pF @ 50V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	126 mOhm @ 2A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SOT-23
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SI2392DS-T1-GE3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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