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SI2372DS-T1-GE3

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SI2372DS-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças SI2372DS-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CHAN 30V SOT23
Ficha técnica

SI2372DS-T1-GE3 Ficha técnica

pacote TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Em estoque 5.264 piece(s)
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Especificações do SI2372DS-T1-GE3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C4A (Ta), 5.3A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs8.9nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds288pF @ 15V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs33 mOhm @ 3A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorSOT-23-3 (TO-236)
Pacote / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2372DS-T1-GE3 folha de dados

SI2372DS-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI2372DS-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2372DS-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI2372DS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2372DS-T1-GE3?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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D# SI2372DS-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 4A/5.3A SOT23-3

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Vishay Intertechnologies

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180000
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Vishay Intertechnologies

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Vishay Huntington

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